Главная > Статьи > О формировании механизмов научно-технологического сотрудничества стран ОЧЭС в сфере полупроводниковой электроники

О формировании механизмов научно-технологического сотрудничества стран ОЧЭС в сфере полупроводниковой электроники

О формировании механизмов научно-технологического сотрудничества стран ОЧЭС в сфере полупроводниковой электроники

к.ф.-м.н. В. Л. Перевертайло, заместитель директора ГП НИИ микроприборов "НТК "ИМК" НАН Украины, г. Киев, Этот e-mail адрес защищен от спам-ботов, для его просмотра у Вас должен быть включен Javascript
к.т.н. В.А. Денисюк, с.н.с. Центра исследований научно-технического потенциала и истории науки им. Г.М. Доброва НАН Украины,

Сегодня экономика развитых стран мира базируется на высоконаукоемких технологиях и отраслях промышленности, среди которых первое место занимают информационные технологии и полупроводниковая электроника. Изделия полупроводниковой электроники, и прежде всего микроэлектроники, определяют технический уровень промышленной и бытовой продукции и ее конкурентоспособность, обеспечивают процесс электронизации и информатизации общества, что является основой инновационной экономики и экономики знаний.

Электроника - самая динамичная отрасль экономики в мире. Среднегодовые темпы ее роста составляют более 7 процентов в год, что в три раза выше темпов роста мирового ВВП. Отрасли промышленности, связанные с электроникой и отрасли, которые используют электронные изделия, производят продукции на 15 триллионов долларов, при этом среднемировой срок окупаемости вложений в электронику составляет 2-3 года.

Приведем также оценки специалистов Европейского Союза, согласно которым каждый вложенный в микроэлектронику доллар приносит 20 долларов прибыли и создает в 3 раза больше рабочих мест, чем другие области промышленности, а также тот факт, что объем валового национального продукта, созданного на базе изделий микроэлектроники пяти основных областей машиностроения Германии (вычислительная техника, телекоммуникации, промэлектроника, бытовая электроника и автоэлектроника) в 1000 раз превышает затраты на изготовление изделий микроэлектроники. В таких странах как Корея, Китай, Индия, страны Юго-Восточной развитие национальной электронной промышленности рассматривается как наиболее эффективный способ подъема всей промышленности и вхождения в мировой рынок [1].

Исходя из приведенной статистики следует, что развитие полупроводниковой электроники должно быть одним из приоритетов государственной инновационной политики как в Украине, так и в других странах ОЧЭС. При этом создание условий для повышения уровня научно-технологического сотрудничества в сфере полупроводниковой электроники между научными коллективами стран ОЧЭС будет стимулировать получению конкурентоспособных научных результатов и продукции.

Целью данной работы является анализ направлений развития полупроводниковой электроники в Украине, научные достижения в исследованиях и разработке изделий полупроводниковой электроники и формирование механизмов научно-технологического сотрудничества стран ОЧЭС в сфере полупроводниковой электроники.

В Украине оказывается государственная поддержка развитию полупроводниковой электроники посредством разработки в период с 1999 по 2007 гг. ряда научно-технических программ [2-4]. Так, в ГНТП "Развитие конкурентоспособных направлений микроэлектроники в Украине" [2] было представлено 75 научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по таким направлениям как новые материалы, функциональная микроэлектроника, энергетическая микроэлектроника, сенсорная электроника, технологическое оборудование для микроэлектроники, интегральные схемы и полупроводниковые устройства и др. В 2006 г. программа была пересмотрена, дополнена новыми работами, а часть работ микроэлектронной тематики была передана в другую ГНТП - "Развитие высоких наукоемких технологий" [3]. Отметим также принятые ГНТП "Развитие техники и технологий СВЧ на 2005-2009 годы в Украине" [4] и программу "Развитие микро- и оптоэлектронных технологий в Украине на 2005-2007 годы" [1]. Основной задачей последней программы являлась реализация нескольких "прорывных" технологий, по которым Украина имеет наиболее серьезный задел на уровне лучших мировых достижений и которые могут дать быструю отдачу в виде конечных наукоемких изделий высокого уровня, пользующихся спросом на рынке.

Важнейшее значение имеет и сформированная межведомственная научно-техническая программа "Нанофизика и наноэлектроника", которая одобрена КМ Украины в 2001 году [5]. В 2007-2008 гг. она включает достаточно широкий перечень финансируемых проектов из госбюджета по таким направлениям, как физика, технология и диагностика наноструктур, наноэлектроника и нанофизика [6].

В докладе рассмативаются некоторые из научных достижений Института микроприборов НТК "Институт монокристаллов" НАН Украины в исследованиях и разработке изделий полупроводниковой электроники, к которым относятся [7]:
1. Технология изготовления сенсоров УФ излучения на основе структур с диодом Шоттки на ZnSe;
2. Технология p-i-n - фотодиодов на высокоомном кремнии для радиационных детекторов сцинтиллятор-фотодиод (СЦ-ФД), применяемых в радиометрии, спектрометрии и дозиметрии;
3. Технология многоэлементных p-i-n - фотодиодных линеек для многоэлементных рентгеновских детекторов СЦ-ФД, применяемых в рентгеновских инспекционных сканерах и интраскопах нового поколения с повышенной разрешающей способностью;
4. Технология фотоприемных устройств для инфракрасного диапазона и элементная база микрофотоэлектроники, в том числе схемы считывания, реализуемые по КМОП технологии, ориентированные на ИК-приборы для медицинской диагностики, дистанционного экологического мониторинга и контроля технологических процессов;
5. Разработка принципиально новой конструкции и технологии твердотельного источника белого света, базирующаяся на сверхярких светодиодах и светодиодных матрицах. Показана возможность изготовления светодиодных ламп, которые эквивалентные лампам накаливаия мощностью 40...100 Вт.
Показано, что для активизации научно-технологического сотрудничества Украины со странами ОЧЭС в сфере полупроводниковой электроники как в Украине, так и в странах ОЧЭС могут быть использованы следующие механизмы:
1. Создание банка данных о разработках и направлениях исследований в области полупроводниковой электроники для заинтересованных в совместном научно-технологическом сотрудничестве научных учреждений в странах ОЧЭС при поддержке центральных органов исполнительной власти в сфере науки и инноваций (2008 г.);
2. Организация научно-практической конференции (семинара) ОЧЭС в 2008-2009 гг. по направлениям выполняемых и перспективных научных исследований и разработок в рассматриваемой сфере;
3. По результатам научно-практической конференции (семинара) сформировать приоритетные направления исследований и разработок для каждой из стран в рассматриваемой сфере;
4. Организация центральными органами исполнительной власти в сфере науки и инноваций в 2009 году конкурса на выполнение совместных проектов по исследованиям и разработке в области полупроводниковой электроники при финансовой поддержке государств. При этом при формировании программ отдавать предпочтение тем проектам, на которые имеется подтвержденный спрос со стороны промышленности. Подобные конкурсы практиковать систематически каждые два года.


Литература:
1. Перевертайло В.Л., Денисюк В.А. Инновационные и научные проекты в области разработки и коммерциализации микроэлектронных и оптоэлектронных технологий и изделий.International Forum "Science, innovation®ional development''/ Lviv. Ukraine, 23-25 2005, -C. 116-120.
2. Падалко В. Г., Грищенко С. Г., Зубарев В. В. и др. Программа развития конкурентоспособных направлений микроэлектроники в Украине (основные положения и задачи) // Технология и конструирование в электронной аппаратуре (ТКЭА).- 1999.- № 4.- С. 3-8.
3. Закон України № 1676-IV від 9 квітня 2004 р. Про Загальнодержавну комплексну програму розвитку високих наукоемних технологій // www.rada.gov.ua/
4. Луговский В. В., Николаенко Ю. Е., Демедюк А. В., Ларкин С. Ю. Основные положения государственной программы развития техники и технологий СВЧ на 2005-2009 гг. в Украине // Технология и конструирование в электронной аппаратуре (ТКЭА)
5. Распоряжение КМ Украины от 14.03. 2001 г. № 85-р. О межведомственной научно-технической программе "Нанофизика и наноэлектроника".
6. Распоряжение КМ Украины от 14.02. 2007 г. № 42-р. "О реализации в 2007-2008 годах научно-технических проектов в соответствии с межведомственной научно-технической программой "Нанофизика и наноэлектроника".
7. Перевертайло В.Л. Проблемы и задачи развития технологий микроэлектроники в Украине // Наука и науковедение. - 2006. - № 3. - с.157-161.

Обновлено 04.10.2011 06:24  

Тестовый текст


Сайт на реконструкции. Тестовый текст.

Кто он-лайн

Сейчас 38 гостей

Сайт на реконструкции


Сайт на реконструкции. Тестовый текст.

Написать нам