√лавна€ > —татьи > ќ формировании механизмов научно-технологического сотрудничества стран ќ„Ё— в сфере полупроводниковой электроники

√лавное меню

ќ формировании механизмов научно-технологического сотрудничества стран ќ„Ё— в сфере полупроводниковой электроники

к.ф.-м.н. ¬. Ћ. ѕеревертайло, заместитель директора √ѕ Ќ»» микроприборов "Ќ“  "»ћ " ЌјЌ ”краины, г.  иев, –≠—В–Њ—В e-mail –∞–і—А–µ—Б –Ј–∞—Й–Є—Й–µ–љ –Њ—В —Б–њ–∞–Љ-–±–Њ—В–Њ–≤, –і–ї—П –µ–≥–Њ –њ—А–Њ—Б–Љ–Њ—В—А–∞ —Г –Т–∞—Б –і–Њ–ї–ґ–µ–љ –±—Л—В—М –≤–Ї–ї—О—З–µ–љ Javascript
к.т.н. ¬.ј. ƒенисюк, с.н.с. ÷ентра исследований научно-технического потенциала и истории науки им. √.ћ. ƒоброва ЌјЌ ”краины,

—егодн€ экономика развитых стран мира базируетс€ на высоконаукоемких технологи€х и отрасл€х промышленности, среди которых первое место занимают информационные технологии и полупроводникова€ электроника. »здели€ полупроводниковой электроники, и прежде всего микроэлектроники, определ€ют технический уровень промышленной и бытовой продукции и ее конкурентоспособность, обеспечивают процесс электронизации и информатизации общества, что €вл€етс€ основой инновационной экономики и экономики знаний.

Ёлектроника - сама€ динамична€ отрасль экономики в мире. —реднегодовые темпы ее роста составл€ют более 7 процентов в год, что в три раза выше темпов роста мирового ¬¬ѕ. ќтрасли промышленности, св€занные с электроникой и отрасли, которые используют электронные издели€, производ€т продукции на 15 триллионов долларов, при этом среднемировой срок окупаемости вложений в электронику составл€ет 2-3 года.

ѕриведем также оценки специалистов ≈вропейского —оюза, согласно которым каждый вложенный в микроэлектронику доллар приносит 20 долларов прибыли и создает в 3 раза больше рабочих мест, чем другие области промышленности, а также тот факт, что объем валового национального продукта, созданного на базе изделий микроэлектроники п€ти основных областей машиностроени€ √ермании (вычислительна€ техника, телекоммуникации, промэлектроника, бытова€ электроника и автоэлектроника) в 1000 раз превышает затраты на изготовление изделий микроэлектроники. ¬ таких странах как  оре€,  итай, »нди€, страны ёго-¬осточной развитие национальной электронной промышленности рассматриваетс€ как наиболее эффективный способ подъема всей промышленности и вхождени€ в мировой рынок [1].

»сход€ из приведенной статистики следует, что развитие полупроводниковой электроники должно быть одним из приоритетов государственной инновационной политики как в ”краине, так и в других странах ќ„Ё—. ѕри этом создание условий дл€ повышени€ уровн€ научно-технологического сотрудничества в сфере полупроводниковой электроники между научными коллективами стран ќ„Ё— будет стимулировать получению конкурентоспособных научных результатов и продукции.

÷елью данной работы €вл€етс€ анализ направлений развити€ полупроводниковой электроники в ”краине, научные достижени€ в исследовани€х и разработке изделий полупроводниковой электроники и формирование механизмов научно-технологического сотрудничества стран ќ„Ё— в сфере полупроводниковой электроники.

¬ ”краине оказываетс€ государственна€ поддержка развитию полупроводниковой электроники посредством разработки в период с 1999 по 2007 гг. р€да научно-технических программ [2-4]. “ак, в √Ќ“ѕ "–азвитие конкурентоспособных направлений микроэлектроники в ”краине" [2] было представлено 75 научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ по таким направлени€м как новые материалы, функциональна€ микроэлектроника, энергетическа€ микроэлектроника, сенсорна€ электроника, технологическое оборудование дл€ микроэлектроники, интегральные схемы и полупроводниковые устройства и др. ¬ 2006 г. программа была пересмотрена, дополнена новыми работами, а часть работ микроэлектронной тематики была передана в другую √Ќ“ѕ - "–азвитие высоких наукоемких технологий" [3]. ќтметим также прин€тые √Ќ“ѕ "–азвитие техники и технологий —¬„ на 2005-2009 годы в ”краине" [4] и программу "–азвитие микро- и оптоэлектронных технологий в ”краине на 2005-2007 годы" [1]. ќсновной задачей последней программы €вл€лась реализаци€ нескольких "прорывных" технологий, по которым ”краина имеет наиболее серьезный задел на уровне лучших мировых достижений и которые могут дать быструю отдачу в виде конечных наукоемких изделий высокого уровн€, пользующихс€ спросом на рынке.

¬ажнейшее значение имеет и сформированна€ межведомственна€ научно-техническа€ программа "Ќанофизика и наноэлектроника", котора€ одобрена  ћ ”краины в 2001 году [5]. ¬ 2007-2008 гг. она включает достаточно широкий перечень финансируемых проектов из госбюджета по таким направлени€м, как физика, технологи€ и диагностика наноструктур, наноэлектроника и нанофизика [6].

¬ докладе рассмативаютс€ некоторые из научных достижений »нститута микроприборов Ќ“  "»нститут монокристаллов" ЌјЌ ”краины в исследовани€х и разработке изделий полупроводниковой электроники, к которым относ€тс€ [7]:
1. “ехнологи€ изготовлени€ сенсоров ”‘ излучени€ на основе структур с диодом Ўоттки на ZnSe;
2. “ехнологи€ p-i-n - фотодиодов на высокоомном кремнии дл€ радиационных детекторов сцинтилл€тор-фотодиод (—÷-‘ƒ), примен€емых в радиометрии, спектрометрии и дозиметрии;
3. “ехнологи€ многоэлементных p-i-n - фотодиодных линеек дл€ многоэлементных рентгеновских детекторов —÷-‘ƒ, примен€емых в рентгеновских инспекционных сканерах и интраскопах нового поколени€ с повышенной разрешающей способностью;
4. “ехнологи€ фотоприемных устройств дл€ инфракрасного диапазона и элементна€ база микрофотоэлектроники, в том числе схемы считывани€, реализуемые по  ћќѕ технологии, ориентированные на » -приборы дл€ медицинской диагностики, дистанционного экологического мониторинга и контрол€ технологических процессов;
5. –азработка принципиально новой конструкции и технологии твердотельного источника белого света, базирующа€с€ на сверх€рких светодиодах и светодиодных матрицах. ѕоказана возможность изготовлени€ светодиодных ламп, которые эквивалентные лампам накаливаи€ мощностью 40...100 ¬т.
ѕоказано, что дл€ активизации научно-технологического сотрудничества ”краины со странами ќ„Ё— в сфере полупроводниковой электроники как в ”краине, так и в странах ќ„Ё— могут быть использованы следующие механизмы:
1. —оздание банка данных о разработках и направлени€х исследований в области полупроводниковой электроники дл€ заинтересованных в совместном научно-технологическом сотрудничестве научных учреждений в странах ќ„Ё— при поддержке центральных органов исполнительной власти в сфере науки и инноваций (2008 г.);
2. ќрганизаци€ научно-практической конференции (семинара) ќ„Ё— в 2008-2009 гг. по направлени€м выполн€емых и перспективных научных исследований и разработок в рассматриваемой сфере;
3. ѕо результатам научно-практической конференции (семинара) сформировать приоритетные направлени€ исследований и разработок дл€ каждой из стран в рассматриваемой сфере;
4. ќрганизаци€ центральными органами исполнительной власти в сфере науки и инноваций в 2009 году конкурса на выполнение совместных проектов по исследовани€м и разработке в области полупроводниковой электроники при финансовой поддержке государств. ѕри этом при формировании программ отдавать предпочтение тем проектам, на которые имеетс€ подтвержденный спрос со стороны промышленности. ѕодобные конкурсы практиковать систематически каждые два года.


Ћитература:
1. ѕеревертайло ¬.Ћ., ƒенисюк ¬.ј. »нновационные и научные проекты в области разработки и коммерциализации микроэлектронных и оптоэлектронных технологий и изделий.International Forum "Science, innovationЃional development''/ Lviv. Ukraine, 23-25 2005, -C. 116-120.
2. ѕадалко ¬. √., √рищенко —. √., «убарев ¬. ¬. и др. ѕрограмма развити€ конкурентоспособных направлений микроэлектроники в ”краине (основные положени€ и задачи) // “ехнологи€ и конструирование в электронной аппаратуре (“ Ёј).- 1999.- є 4.- —. 3-8.
3. «акон ”крањни є 1676-IV в≥д 9 кв≥тн€ 2004 р. ѕро «агальнодержавну комплексну програму розвитку високих наукоемних технолог≥й // www.rada.gov.ua/
4. Ћуговский ¬. ¬., Ќиколаенко ё. ≈., ƒемедюк ј. ¬., Ћаркин —. ё. ќсновные положени€ государственной программы развити€ техники и технологий —¬„ на 2005-2009 гг. в ”краине // “ехнологи€ и конструирование в электронной аппаратуре (“ Ёј)
5. –аспор€жение  ћ ”краины от 14.03. 2001 г. є 85-р. ќ межведомственной научно-технической программе "Ќанофизика и наноэлектроника".
6. –аспор€жение  ћ ”краины от 14.02. 2007 г. є 42-р. "ќ реализации в 2007-2008 годах научно-технических проектов в соответствии с межведомственной научно-технической программой "Ќанофизика и наноэлектроника".
7. ѕеревертайло ¬.Ћ. ѕроблемы и задачи развити€ технологий микроэлектроники в ”краине // Ќаука и науковедение. - 2006. - є 3. - с.157-161.

–Ю–±–љ–Њ–≤–ї–µ–љ–Њ 04.10.2011 06:24  

–Ґ–µ—Б—В–Њ–≤—Л–є —В–µ–Ї—Б—В


–°–∞–є—В –љ–∞ —А–µ–Ї–Њ–љ—Б—В—А—Г–Ї—Ж–Є–Є. –Ґ–µ—Б—В–Њ–≤—Л–є —В–µ–Ї—Б—В.

–Ъ—В–Њ –Њ–љ-–ї–∞–є–љ

–°–µ–є—З–∞—Б 6 –≥–Њ—Б—В–µ–є

–°–∞–є—В –љ–∞ —А–µ–Ї–Њ–љ—Б—В—А—Г–Ї—Ж–Є–Є


–°–∞–є—В –љ–∞ —А–µ–Ї–Њ–љ—Б—В—А—Г–Ї—Ж–Є–Є. –Ґ–µ—Б—В–Њ–≤—Л–є —В–µ–Ї—Б—В.

–Э–∞–њ–Є—Б–∞—В—М –љ–∞–Љ